Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7940DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7940DP
SI7940DP-T1-E3 Hakkında
SI7940DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu komponentin maksimum drain akımı 7.6A, drain-source voltajı 12V olarak belirlenmiştir. RDS(On) değeri 4.5V gate voltajında 17mΩ'dur. PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan SI7940DP, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltaj motor kontrollerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum güç dağılımı 1.4W'tır. Gate charge değeri 4.5V'da 17nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok