Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7938DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7938DP
SI7938DP-T1-GE3 Hakkında
SI7938DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistöründür. 40V drain-source voltajında 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, PowerPAK SO-8 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Gate charge 65nC ve input capacitance 2300pF değerleriyle hızlı komutasyon özelliği gösterir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 46W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 18.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok