Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7925DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7925DN
SI7925DN-T1-GE3 Hakkında
SI7925DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® 1212-8 paketinde surface mount olarak sunulur. 12V drain-source voltajında 4.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V Vgs'de 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştir. 4.5V Vgs ve 6.5A Id'de 42mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 1.3W maksimum güç derating özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve analog switch devrelerde kullanılır. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok