Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7925DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7925DN
SI7925DN-T1-E3 Hakkında
SI7925DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V Drain to Source voltajında 4.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 42mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 1.3W maksimum güç yeteneği ile güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel uygulamalar için uygundur. İleri başlangıç voltajı (1V @ 250µA) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok