Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7923DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7923DN
SI7923DN-T1-GE3 Hakkında
SI7923DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® 1212-8 yüksek yoğunluklu paketinde sunulan bu komponent, 30V drain-source gerilimi altında 4.3A sürekli akım taşıyabilmektedir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimlerinde çalışabilir. 47mOhm'luk düşük on-resistance (Rds) ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok