Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7922DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7922DN
SI7922DN-T1-GE3 Hakkında
SI7922DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu komponent, 100V drain-source voltaj ve 1.8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan SI7922DN, 3.5V eşik voltajında çalışır ve 195mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 8nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok