Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7922DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7922DN
SI7922DN-T1-E3 Hakkında
SI7922DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu komponentin Drain-Source arasında maksimum 100V gerilim dayanımı vardır. Sürekli çalışmada 1.8A drain akımı sağlayan bu FET, logic level gate özelliğine sahiptir ve 1.3W maksimum güç tüketimi ile çalışır. Vgs(th) değeri 3.5V (250µA'da) olan bileşen, 195mOhm RDS(on) direnci (10V, 2.5A'da) ile düşük kontak kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası sıcaklıkta çalışabilen bu dual MOSFET, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok