Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7913DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7913DN
SI7913DN-T1-GE3 Hakkında
SI7913DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj ve 5A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu komponent, PowerPAK® 1212-8 paketinde surface mount olarak sunulmaktadır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan cihaz, 37mOhm maksimum RDS(on) değerine ve 24nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, özellikle de düşük gerilim güç sistemlerinde, portlu cihazlarda ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Aktif durumdaki ürün, 1.3W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok