Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7913DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7913DN
SI7913DN-T1-E3 Hakkında
SI7913DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V'ta 37mOhm'luk düşük On-resistance değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan SI7913DN, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.3W maksimum güç dissipasyonu ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok