Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7911DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7911DN
SI7911DN-T1-GE3 Hakkında
SI7911DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliği ile 4.5V gate voltajında çalışır. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.2A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 51mOhm on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulur. LED sürücüleri, güç anahtarları, analog anahtarlar ve düşük voltaj güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok