Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7911DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7911DN
SI7911DN-T1-E3 Hakkında
SI7911DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup 20V drain-source gerilimi ile çalışabilir. 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 51mOhm on-state direnç değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetimi sistemlerinde kullanılır. 15nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Surface mount tasarımı kompakt PCB uygulamalarına uygun olup endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın kullanım alanı bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok