Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7909DN
SI7909DN-T1-GE3 Hakkında
SI7909DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile çalışır ve 25°C sıcaklıkta 5.3A sürekli dren akımı sağlayabilir. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V kapı geriliminde 24nC kapı yükü ve 37mOhm (4.5V, 7.7A'da) düşük açık direnci ile karakterizedir. 1V kapı eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve analog çoklayıcı uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu bileşen yüksek entegrasyon ve kompakt tasarımlara uygundur. Mevcut durumu kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok