Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7909DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7909DN
SI7909DN-T1-E3 Hakkında
SI7909DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source gerilimi ile çalışır ve 5.3A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 37mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate şarj değeri 24nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok