Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7905DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7905DN
SI7905DN-T1-GE3 Hakkında
SI7905DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 dual paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve düşük voltaj güç uygulamalarında yer alır. 60mOhm on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 20.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok