Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7904DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® 1212-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7904DN

SI7904DN-T1-GE3 Hakkında

SI7904DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 5.3A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük gatevoltajı uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. 4.5V gate voltajında 30mOhm'luk düşük on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı dijital kontrol devrelerinde yer bulur. 15nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 935µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok