Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7904BDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7904BDN
SI7904BDN-T1-GE3 Hakkında
SI7904BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile çalışır. PowerPAK® 1212-8 Dual paketinde temin edilen SI7904BDN, düşük on-direnç (30mOhm @ 7.1A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans gösterir. Gate charge değeri 24nC (@ 8V) olan bu MOSFET, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, düşük güç kayıpları ve hızlı anahtarlama için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 17.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok