Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7900AEDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7900AEDN
SI7900AEDN-T1-GE3 Hakkında
SI7900AEDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketine sahip bu komponent, 20V drain-source voltajında 6A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliği ile 4.5V gate voltajında 16nC gate charge değerine sahiptir. Maksimum 26mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sunar. Çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. MOSFET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve motorlu sistemlerde kullanılır. Kompakt boyut ve dual kanal tasarımı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok