Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7872DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7872DP
SI7872DP-T1-GE3 Hakkında
SI7872DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, PowerPAK SO-8 paketinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip transistör, 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 11nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Half-bridge konfigürasyonu nedeniyle, DC-DC dönüştürücü ve inverter tasarımlarında tercih edilmektedir. Bileşen şu an üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok