Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7844DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7844DP
SI7844DP-T1-GE3 Hakkında
SI7844DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltaj ve 6.4A sürekli drain akımı ile çalışmaktadır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 22mOhm (@ 10A, 10V) düşük on-resistance değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli kullanılır. Gate Charge değeri 20nC (@10V) olup, 1.4W maksimum güç yönetimine sahiptir. Surface mount teknolojisi ile üretilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Vgs(th) değeri 2.4V (@250µA) ile düşük gate sürüş gereksinimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok