Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7844DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7844DP
SI7844DP-T1-E3 Hakkında
SI7844DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör olup, 30V drain-source voltajı ve 6.4A sürekli dren akımı ile çalışır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik devrelerinden doğrudan kontrol edilebilir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 22mOhm on-state direnci (RDS On) ile enerji yönetimi uygulamalarında, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama sağlar. Maksimum 1.4W güç dağılım kapasitesi ile orta seviye güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok