Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7842DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7842DP
SI7842DP-T1-GE3 Hakkında
SI7842DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 6.3A sürekli drenaj akımı sağlama kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 10V Vgs'de 20nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 22mOhm on-resistance (Rds(on)) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 Dual paket içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç yönetimi ve dijital lojik arabirimleri gerektiren sistemlerde tercih edilir. Maksimum 1.4W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok