Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7540DP-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SO-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7540DP

SI7540DP-T1-GE3 Hakkında

SI7540DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 12V drain-source gerilimi ve 7.6A/5.7A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük sinyal seviyeleriyle kontrol edilebilir. 17mOhm on-direnç (RDS-on) ve 1.5V gate eşik gerilimi ile switching uygulamalarında verimli performans sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma aralığına sahiptir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrol ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 1.4W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu komponent, kompakt tasarımlar için ideal tercih sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A, 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok