Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7540DP-T1-E3

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SO-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7540DP

SI7540DP-T1-E3 Hakkında

SI7540DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N/P-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source voltajı ve 7.6A (N-channel) / 5.7A (P-channel) sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğiyle 4.5V gate voltajında çalışabilir ve 17mOhm maksimum RDS(on) değerine ulaşır. 1.5V threshold voltajı ile düşük sürüş gücü gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, load switching ve sinyal kontrol devrelerinde tercih edilir. 1.4W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A, 5.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok