Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7530DP-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7530DP
SI7530DP-T1-E3 Hakkında
SI7530DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistör çiftidir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source voltaj desteği ve 3A-3.2A sürekli dren akımı kapasitesi sunar. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyalleriyle tetiklenmesi mümkündür. 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 20nC gate charge ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve dijital sinyal işleme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Lojik seviye gate tetikleme özelliği, mikrodenetleyici ve dijital logik entegreleriyle doğrudan uyumluluğu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A, 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W, 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok