Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7501DN-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7501DN
SI7501DN-T1-GE3 Hakkında
SI7501DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 5.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulmaktadır. 35mOhm on-state direnci ve düşük gate charge değerleriyle, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface mount yapısıyla kompakt tasarımlara uygun olup, 1.6W maksimum güç tüketimiyle verimli çalışır. Bileşen üretim durumu itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A, 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 7.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok