Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7288DP
SI7288DP-T1-GE3 Hakkında
SI7288DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source voltaj ile 20A sürekli drenaj akımına sahiptir. Gate charge değeri 15nC (@ 10V), on-state direnci ise 19mOhm (@ 10A, 10V) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount paketlemesi, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 15.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok