Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7272DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SO-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7272DP

SI7272DP-T1-GE3 Hakkında

SI7272DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paket tipinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 10V gate voltajında 26nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.3mOhm (10V, 15A'da) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Aktif ürün statüsüne sahip olup endüstriyel ve tüketici elektronikleri için uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status Active
Power - Max 22W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok