Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7270DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7270DP
SI7270DP-T1-GE3 Hakkında
SI7270DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile entegre devreler, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği ile düşük giriş gerilimine sahip olup, 21mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge değeri 21nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 17.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok