Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7252DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7252DP
SI7252DP-T1-GE3 Hakkında
SI7252DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 36.7A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, logic level gate uyumluluğu ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. 18mOhm (10V, 15A) on-state resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. PowerPAK SO-8 paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 27nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1170pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 46W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok