Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7252ADP-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7252ADP
SI7252ADP-T1-GE3 Hakkında
SI7252ADP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 100V Drain-Source voltaj toleransı ve 9.3A (Ta) / 28.7A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. 18.6mOhm maksimum Rds(on) değeri düşük enerji kaybını sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Gate charge (26.5nC @ 10V) ve düşük input capacitance (1266pF @ 50V) hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun kılar. Anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılan endüstriyel bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1266pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok