Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7232DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® 1212-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7232DN

SI7232DN-T1-GE3 Hakkında

SI7232DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 20V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 16.4mOhm on-resistance değeri ile verimli enerji aktarımı sağlar. Surface mount PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. LED sürücüleri, DC-DC konvertörleri, pil yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status Active
Power - Max 23W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok