Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7223DN
SI7223DN-T1-GE3 Hakkında
SI7223DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V Drain-Source gerilim ve 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 26.4mΩ düşük on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Gate charge 40nC (@10V) ve input capacitance 1425pF (@15V) değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır ve maksimum 23W güç dissipasyonu yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya kontrol sistemleri ve düşük gerilim anahtarlamada kullanılır. Surface mount montajı ile kompakt PCB tasarımlarına uygun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.4mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok