Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7222DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® 1212-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7222DN

SI7222DN-T1-GE3 Hakkında

SI7222DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistöridir. 40V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 dual paket içinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (29nC @ 10V) ve 42mOhm on-resistance değerleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 17.8W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 17.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok