Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7220DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7220DN
SI7220DN-T1-GE3 Hakkında
SI7220DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift N-Channel (Dual) MOSFET transistördür. PowerPAK® 1212-8 paket tipi ile sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 3.4A devamlı dren akımına dayanabilir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 60mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ve 20nC gate charge karakteristiği ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok