Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7216DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® 1212-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7216DN

SI7216DN-T1-GE3 Hakkında

SI7216DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8 yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uyumludur. 32mOhm on-state direnci (10V, 5A'da) ile düşük güç kaybı sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 19nC gate charge ve 670pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status Active
Power - Max 20.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok