Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7212DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7212DN
SI7212DN-T1-E3 Hakkında
SI7212DN-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 1.6V eşik geriliminde çalışır. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük 36mOhm on-resistance değeri sayesinde enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.3W maksimum güç tüketimi ile verimli tasarımlar sağlar. Mobil cihazlar, güç yönetimi, LED sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok