Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6981DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
SI6981DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6981DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 4.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrolü mümkündür. 31mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç yönetimi, LED sürücüsü, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer bulur. 8-TSSOP yüzey montajı paketine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, yeni tasarımlarda alternatiflerin araştırılması önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok