Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6969BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
SI6969BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6969BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 12V Vdss ile tasarlanmış olan bu bileşen, 4A sürekli drain akımı kapasitesine ve 30mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrolü uygulamalarında kolayca kullanılabilir. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan SI6969BDQ, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle güç yönetimi, motor kontrolü ve sinyal anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği sayesinde geniş uygulama alanına sahiptir. Bileşen üretimden sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok