Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6969BDQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
SI6969BDQ-T1-E3 Hakkında
SI6969BDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 12V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı ile çalışabilir. 8-TSSOP yüzey montajlı paket içerisinde sunulan SI6969BDQ, 30mOhm'luk düşük RDS(on) direncine ve 25nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 830mW güç tüketimine sahip olan bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok