Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
SI6968BEDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6968BEDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 5.2A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik devreleriyle doğrudan kontrol edilebilir. 22mOhm on-direnç (RDS-on) ve 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulur. Düşük güç tüketimi gerektiren motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok