Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6968BEDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI6968BEDQ-T1-E3 Hakkında
SI6968BEDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltajında 5.2A sürekli akım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate voltajı ile kontrol edilebilir. 22mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği yüksektir. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, motor sürücüler, DC-DC konverterler ve diğer anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok