Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6966EDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6966EDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. 20V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, logic level gate uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 5.2A drain akımında 30mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sağlayarak düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 25nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bileşen, gücü yönetmeli cihazlar, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenli işlem sağlar. Güncel stok olmayıp, yerini modern varyantlara bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok