Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6966EDQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-E3 Hakkında
SI6966EDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 4.5V gate voltajında 25nC gate charge karakteristiğine sahiptir. 30mOhm (Rds on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface Mount 8-TSSOP paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.25W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama işlevlerinde kullanılır. Düşük gate charge ve logic level özelliği, modern kontrol entegreleriyle doğrudan uyumluluk sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok