Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI6966DQ-T1-GE3 Hakkında
SI6966DQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 30mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel dijital kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok