Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6963BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
SI6963BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6963BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 3.4A sürekli dren akımı sağlayabilir. 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve ses/sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. Maksimum 830mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok