Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6963BDQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
SI6963BDQ-T1-E3 Hakkında
SI6963BDQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim aralığında 3.4A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, logic level gate özelliği ile düşük gerilim sinyal kontrolüne uyumludur. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan SI6963, düşük Ron direnci (45mOhm @ 4.5V) sayesinde minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir çalışması, enerji yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve power distribution sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Düşük kapı yükü (11nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok