Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6955ADQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
SI6955ADQ-T1-GE3 Hakkında
SI6955ADQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 80mOhm(max) RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı analog elektronik tasarımlarında kullanılır. Maksimum 830mW güç dağıtım kapasitesi ve 8nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) olup, var olan stoklar tükenene kadar tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok