Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6943BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
SI6943BDQ-T1-GE3 Hakkında
SI6943BDQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. Logic level gate girişine uyumlu olup, 80mOhm on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 8-TSSOP yüzey montaj paketi içinde sunulan bu komponent, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve portable cihazlardaki batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 800mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Entegre dual yapısı, kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok