Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6926ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
SI6926ADQ-T1-GE3 Hakkında
SI6926ADQ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği ile düşük giriş geriliminde çalışabilir. 30mOhm on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 8-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük güç tüketimi (830mW) ve minimum gate charge (10.5nC) karakteristiği ile motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok