Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI6926ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
SI6926ADQ-T1-E3 Hakkında
SI6926ADQ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı lojik devreleri tarafından doğrudan kontrol edilebilir. 30mOhm on-state direnci ve 10.5nC gate charge özellikleri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-TSSOP paketinde sunulur. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarında geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C arasında) kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 830mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok